S5MBR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
S5GB thru S5MB Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - Ideal for automated placement - Low forward voltage drop - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition - AEC-Q101 qualified MECHANICAL DATA DO-214AA (SMB) Case: DO-214AA (SMB) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.09 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL PARAMETER S5 S5 S5 S5 GB JB KB MB Unit Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 400 600 800 1000 V IF(AV) Maximum average forward rectified current Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load TJ=25°C Peak forward surge current, 1 ms single half sine-wave superimposed on rated load TJ=25°C TJ=125°C Maximum reverse current @ rated VR Typical junction capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range IFSM TJ=125°C Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @5A TJ=125°C A 150 540 A 290 VF TJ=25°C 5 200 IR 1.1 10 250 CJ 40 V μA pF RθJL 13 RθJA 47 TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C °C/W Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1411017 Version: A14 PDF
Документация на S5JBR5G 

S5GB SERIES_A14.xls

Дата модификации: 18.11.2014

Размер: 182 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)