SF11GR0

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 50 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- HER101 (TSC)
 
DO41 1 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
P- FR101 (YJ)
 
—
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
P- 1N4001G (LRC)
 
DO41
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SF11G thru SF18G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Glass Passivated Super Fast Rectifiers - High efficiency, low VF - High current capability - High reliability - Low power loss - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Weight: 0.35 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL SF SF SF SF SF SF SF SF 11G 12G 13G 14G 15G 16G 17G 18G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 105 140 210 280 350 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 150 200 300 400 500 600 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ VF Trr Typical junction capacitance (Note 3) Cj Operating junction temperature range Storage temperature range 1.3 1.7 V 5 IR Maximum reverse recovery time (Note 2) Typical thermal resistance 0.95 μA 100 35 20 ns 10 20 pF RθJL RθJA 80 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG O C/W Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1401007 Version: F14 PDF
Документация на SF11GR0 

SF11G SERIES_F14.xls

Дата модификации: 08.05.2014

Размер: 372.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)