SK310BHR5G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 3 А, с падением напряжения 850 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- SK310B (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
SK32B - SK320B Taiwan Semiconductor 3A, 20V - 200V Surface Mount Schottky Barrier Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Low power loss, high efficiency Ideal for automated placement Guard ring for over-voltage protection High surge current capability Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 3 A VRRM 20 - 200 V IFSM 70 A Package DO-214AA (SMB) Configuration Single Die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters Lighting application Converter MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Part no. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.1 g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Repetitive peak reverse voltage VRRM SK 32B SK 32B 20 Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 14 21 28 35 42 63 70 105 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 90 100 150 200 V Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Critical rate of rise of off-state voltage IF(AV) 3 A IFSM 70 A dV/dt 10000 V/μs PARAMETER SYMBOL Marking code on the device Junction temperature TJ Storage temperature TSTG SK SK SK SK SK SK SK SK 33B 34B 35B 36B 39B 310B 315B 320B SK SK SK SK SK SK SK SK 33B 34B 35B 36B 39B 310B 315B 320B 30 40 50 60 90 100 150 200 - 55 to +125 UNIT V - 55 to +150 °C - 55 to +150 1 °C Version:N1705 PDF
Документация на SK310BHR5G 

Дата модификации: 23.05.2017

Размер: 278 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.