SMA6S40AH

Taiwan Semiconductor
SMA6S12AH – SMA6S60AH Taiwan Semiconductor 600W, 12V - 60V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified Glass passivated chip junction Maximum VBR temperature coefficient: 0.094%/°C Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM 12 - 60 V VBR 13.4 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD128
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Примечание Trans Voltage Suppressor Diode
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- P6KE47A/B (YAG)
 
P6KE, DO-204AC, 40.2V, 64.8V, BOX
A- 1.5KE47A/B (YAG)
 
DO-204AC DO-15 1.5KE, DO-201, 40.2V, 64.8V, BOX

Файлы 1

показать свернуть
Документация на SMA6S51AH 

Дата модификации: 19.02.2021

Размер: 446.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.