SS12F2

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 30 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SS12 thru SS115 Taiwan Semiconductor CREAT BY ART FEATURES Surface Mount Schottky Barrier Rectifier - Low power loss, high efficiency - Ideal for automated placement - Guardring for overvoltage protection - High surge current capability - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.066 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL SS SS SS SS SS SS SS SS 12 13 14 15 16 19 110 115 UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 35 42 63 70 105 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 50 60 90 100 150 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 40 A Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @ 1 A, TJ=25℃ @ 1 A, TJ=100℃ Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=100℃ TJ=125 ℃ VF 0.5 0.4 0.75 0.65 IR 6 5 - - - 2 dV/dt 10000 Typical thermal resistance RθJL RθJA 28 88 Storage temperature range TJ TSTG 0.95 0.85 - 55 to +125 V 0.1 0.2 Voltage rate of change (Rated VR) Operating junction temperature range 0.8 0.7 mA V/μs O - 55 to +150 - 55 to +150 C/W O C O C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1309022 Version: M13 PDF
Документация на SS110R2 

SS12 SERIES_M13.xls

Дата модификации: 20.03.2014

Размер: 201.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)