Вход / Регистрация

SS12LSHRVG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 20 В, ток до 1 А, с падением напряжения 450 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SS12LS - SS115LS Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Surface Mount Schottky Barrier Rectifier FEATURES - Ideal for automated placement - Compact package size, profile <0.85mm - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - AEC-Q101 qualified and Halogen free only - Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition TYPICAL APPLICATIONS SOD123HE The devices are designed for high frequency miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting and on-board DC/DC converters. MECHANICAL DATA Case: SOD123HE Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 21mg (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code SS12 SS13 SS14 SS16 SS110 SS115 LS LS LS LS LS LS 12LS 13LS 14LS 16LS 10LS A5LS UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 20 30 40 60 100 150 V Maximum RMS voltage VRMS 14 21 28 42 70 105 V Maximum DC blocking voltage VDC 20 30 40 60 100 150 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A Maximum instantaneous forward voltage @ 0.5 A (Note 1) @ 1.0 A VF Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 oC TJ=125 C 0.51 0.58 0.70 0.75 0.45 0.50 0.55 0.70 0.80 0.90 0.4 0.05 - 0.5 CJ 80 RθJC RθJA 25 70 Typical junction capacitance (Note 2) TJ Operating junction temperature range Storage temperature range - IR o Typical thermal resistance - TSTG - 55 to +125 V mA pF O - 55 to +150 - 55 to +150 C/W O C O C Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC Document Number: DS_D1406025 Version: B14 PDF
Документация на SS110LSHRVG 

SS12LS SERIES_B14.xls

Дата модификации: 10.04.2015

Размер: 195 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)