TSF30H150CMC0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 150 В, ток до 15 А, с падением напряжения 980 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P- TSF30H150CC0G (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
TSF30H100C thru TSF30H200C creat by AR Taiwan Semiconductor Trench Schottky Rectifier FEATURES - Patented Trench Schottky technology - Excellent high temperature stability - Low forward voltage - Low power loss/ High efficiency - High forward surge capability - Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition ITO-220AB TYPICAL APPLICATIONS Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting and on-board DC/DC converters. MECHANICAL DATA Case: ITO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N with suffix "M" on P/N - commercial grade Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: As marked Mounting torque: 0.56 Nm max. Weight: 1.7 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25oC unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL VRRM Maximum repetitive peak reverse voltage per device Maximum average forward rectified current per diode Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Voltage rate of change (Rated VR) Isolation voltage from terminal to heatsink t = 1 min Instantaneous forward voltage per diode ( Note1 ) IF = 15A IF = 30A Instantaneous reverse current per diode at rated reverse voltage TJ = 25°C TJ = 125°C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range TSF30H TSF30H 100C 120C 150C 200C 100 120 150 200 UNIT V 30 A 15 IFSM 150 A dV/dt 10000 V/μs VAC 1500 V VF TJ = 125°C TJ = 25°C TSF30H IF(AV) TJ = 25°C TJ = 125°C TSF30H IR Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. 0.76 0.82 0.80 0.88 0.81 0.90 0.84 0.92 0.64 0.69 0.65 0.73 0.68 0.77 0.70 0.79 0.86 0.92 0.90 0.96 0.89 0.98 0.91 1.00 0.75 0.80 0.78 0.86 0.77 0.86 0.80 0.89 V 150 20 μA mA O RθJC 4.5 TJ - 55 to +150 O C - 55 to +150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse test with pulse width=300μs, 1% duty cycle Document Number: DS_D1408029 Version: E14 PDF
Документация на TSF30H150CMC0G 

TSF30H100C SERIES _E14.xls

Дата модификации: 27.08.2014

Размер: 236.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)