UG2DR0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= UG2D A0G (TSC)
 
DO204AC 1500 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-15

Файлы 1

показать свернуть
UG2D Taiwan Semiconductor CREAT BY ART 2A, 200V Glass Passivated Ultra Fast Rectifier FEATURES - Ultrafast recovery time for high efficiency - Excellent high temperature switching - Glass passivated junction - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AC (DO-15) DO-204AC (DO-15) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) Terminal: Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test Weight: 0.33 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL UG2D UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 200 V Maximum RMS voltage VRMS 140 V Maximum DC blocking voltage VDC 200 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 2 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 80 A Maximum instantaneous forward voltage @ 2 A (Note 1) Maximum reverse current @ rated VR TJ=25°C TJ=125°C TJ=25°C TJ=125°C Maximum reverse recovery time (Note 2) VF IR trr 0.95 0.80 5 200 V μA 15 ns Typical reverse recovery time (Note 3) trr 25 ns Typical junction capacitance (Note 4) CJ 35 pF RθJA 60 °C/W TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range Note 1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note 2: Reverse Recovery Test Condition:IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A Note 3: Reverse Recovery Test Condition:IF=2.0A, VR=30V, dl/dt=50A/us, Irr=10% IRM for Measurement of trr Note 4: Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V D.C. Document Number: DS_D0000070 Version: D15 PDF
Документация на UG2DR0G 

UG2D_D15.xls

Дата модификации: 12.05.2015

Размер: 344.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)