UG2JAHR3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.3 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
UG2JA Taiwan Semiconductor 2A, 600V Surface Mount Super Fast Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● Fast forward recovery time for high frequency operation Negligible switching losses Reduces switching and conduction losses High surge current capability Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 2 A VRRM 600 V IFSM 40 A TJ MAX 150 °C Package DO-214AC (SMA) Configuration Single Die ● Designed for high frequency switching mode inverters and converters for consumer, computers,lighting, automotive and telecommunications ● The low IRRM is an immediately advantage to reduce the switching losses in associated of switching devices. Also suitable as priority protection and other rectifications purposes MECHANICAL DATA ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Part No. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free) ● ● ● ● ● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.07 g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device UG2JA UNIT UG2JA Repetitive peak reverse voltage VRRM 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 420 V Maximum DC blocking voltage VDC 600 V Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature IF(AV) 2 A IFSM 40 A TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:C1706 PDF
Документация на UG2JAHR3G 

Дата модификации: 03.06.2017

Размер: 431.3 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.