WML4N90D1B

WAYON
WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D1B 900V 4A 1.85Ω N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F TO-263 WMOS D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features  Typ.RDS(on)=1.85Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO220F
  • Норма упаковки: 1000  шт.

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WML90R1K5S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D1B 900V 4A 1.85Ω N-ch Power MOSFET Description TO-220 TO-220F TO-263 WMOS D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. Features  Typ.RDS(on)=1.85Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  RoHS Compliant D,TAB G Applications  SMPS  Charger  DC-DC S Absolute Maximum Ratings（TC=25℃） Parameter Symbol WMK4N90D1B WML4N90D1B WMM4N90D1B Unit Drain-source voltage VDSS 900 V Gate-source voltage VGS ±30 V ID 4 A IDM 16 A EAS 111 mJ Continuous drain current Pulsed drain current 1 Avalanche energy, single pulse 2 Power dissipation PD Derate above 25°C Operating junction temperature Storage temperature Continuous diode forward current Diode pulse current 63 45 63 W 0.5 0.4 0.5 W/℃ Tj -55~150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 4 A 16 A IS ISpulse 1 Thermal Characteristic Thermal resistance,junction-to-case RθJC 2 2.8 2 ℃/W Thermal resistance,junction-to-ambient RθJA 62.5 62.5 62.5 ℃/W Rev.1.3 2023 www.way-on.com PDF
Документация на WML4N90D1B 

Дата модификации: 11.01.2024

Размер: 1.46 Мб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.