WMO4N90D1C

WAYON
WMO4N90D1C 900V 4A 3.6Ω N-ch Power MOSFET Description WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in onresistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TO-252 TAB G D S SFeatures  Typ.RDS(on)=3.6Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free D,T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO252

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WMO4N90D1C 900V 4A 3.6Ω N-ch Power MOSFET Description WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in onresistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TO-252 TAB G D S SFeatures  Typ.RDS(on)=3.6Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free D,TAB Applications  SMPS  Charger  DC-DC G S Absolute Maximum Ratings（TC=25℃） Parameter Symbol WMO4N90D1C Unit Drain-source voltage VDSS 900 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current ID 4 A Pulsed drain current IDM 16 A Avalanche energy, single pulse EAS 900 mJ Power dissipation PD 56.8 W 0.45 W/℃ Tj -55~150 ℃ Tstg -55~150 ℃ IS 4 A ISpulse 16 A Thermal resistance,junction-to-case RθJC 2.2 ℃/W Thermal resistance,junction-to-ambient RθJA 62.5 ℃/W Derate above 25°C Operating junction temperature Storage temperature Continuous diode forward current Diode pulse current Thermal Characteristic Rev.1.0 2023 www.way-on.com PDF
Документация на WMO4N90D1C 

Дата модификации: 08.05.2023

Размер: 1.1 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.