Вход / Регистрация

WSRSIC010065NNI

WAYON
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 650 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.38 В, производства WAYON (WAYON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC006065NPC (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P= G3S06510A (GPT)
 
TO220AC в линейках 500 шт — —
P= G4S06515AT (GPT)
 
TO220AC в линейках 100 шт — —
P= G4S06508AT (GPT)
 
TO220AC в линейках 200 шт — —
P= WSRSIC008065NNI (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Document: W16010005 Rev: I WSRSIC010065NNI SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE Features  10A Silicon Carbide Schottky Diode  Excellent high temperature stability  Low forward voltage  High forward surge capability  175℃ Operating Junction Temperature  Reduced temperature dependence Mechanical Data  Case: TO-220 Isolated --Ceramic Package Provides 2.5KV Isolation --Electrically Isolated Package Absolute Maximum Ratings（Tc=25℃ Unless otherwise specified） Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V Surge Peak Reverse Voltage VRSM 650 V DC Blocking Voltage VR 650 V Maximum Average Forward Rectified Current at TC =150°C IF 10 A Surge(Non-Repetitive)Forward Current @ Tp=10ms Half Sine Wave TC=25℃ IFSM 70 A Power Dissipation TC=25℃ Ptot 81 W Rθ(J-C) 1.85（Typ.） ℃/W -40 ~ +175 ℃ Thermal Resistance(between Junction and Case) Junction and Storage Temperature ©2021 WAYON Corporation TJ TSTG www.way-on.com 1/4 PDF
Документация на WSRSIC010065NNI 

WS05MF through WS24MF Keywords:

Дата модификации: 23.04.2023

Размер: 384.3 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    19 мая 2025
    новость

    Нулевые потери или высокая устойчивость: SiC Шоттки против традиционных быстрых диодов

    Современная силовая электроника все активнее переходит на компоненты, выполненные на основе карбида кремния. Одним из наиболее заметных примеров стали SiC–диоды Шоттки, которые все чаще рассматриваются как альтернатива проверенным временем... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)