WSRSIC020065NNI

WAYON
Document: W16010054 Rev: A WSRSIC020065NNI SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE Features  20A Silicon Carbide Schottky Diode  Excellent high temperature stability  Low forward voltage  High forward surge capability  175℃ Operating Junction Temperature  Reduced temperature dependence Mechanical Data  Case: TO-220 Isolated --Ceramic Package Provides 2.5KV Isolation --Electrically ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 50  шт.

Файлы 1

показать свернуть
Document: W16010054 Rev: A WSRSIC020065NNI SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE Features  20A Silicon Carbide Schottky Diode  Excellent high temperature stability  Low forward voltage  High forward surge capability  175℃ Operating Junction Temperature  Reduced temperature dependence Mechanical Data  Case: TO-220 Isolated --Ceramic Package Provides 2.5KV Isolation --Electrically Isolated Package Absolute Maximum Ratings（Tc=25℃ Unless otherwise specified） Parameter Symbol Value Unit Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 650 V Surge Peak Reverse Voltage VRSM 650 V DC Blocking Voltage VR 650 V Maximum Average Forward Rectified Current at TC =143°C IF 20 A Surge(Non-Repetitive)Forward Current @ Tp=10ms Half Sine Wave TC=25℃ IFSM 170 A Power Dissipation TC=25℃ Ptot 164 W Rθ(J-C) 0.91 （Typ.） ℃/W -40 ~ +175 ℃ Typ. Max. Unit 1.32 1.75 1.89 / Thermal Resistance(between Junction and Case) Junction and Storage Temperature Electronics Characteristics（Tc=25℃ TJ TSTG Unless otherwise specified） Parameter Symbol Maximum Instantaneous Forward Voltage @IF=20A TJ=25℃ V VF Maximum Instantaneous Forward Voltage @IF=20A TJ=175℃ ©2021 WAYON Corporation www.way-on.com 1/4 PDF
Документация на WSRSIC020065NNI 

WS05MF through WS24MF Keywords:

Дата модификации: 12.05.2023

Размер: 407.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.