10A10G

SUNCO
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 10 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 60 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус R6
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 10A10 (YJ)
 
R6 в ленте 500 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1000V V(RRM)

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 10A05G THRU 10A10G COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: Package: R-6 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 10A05G 10A1G 10A2G 10A4G 10A6G 10A8G 10A10G 10A05G 10A1G 10A2G 10A4G 10A6G 10A8G 10A10G 50 100 200 400 600 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =50℃ IF(AV) A 10.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 300 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER 10A05G 10A1G 10A2G 10A4G SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =10.0A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 60 Typical junction capacitance 10A6G 10A8G 10A10G μA IRRM2 Cj pF ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 10A05G 10A1G 10A2G 10A4G 10A6G 10A8G 10A10G 10 1/4 S-A037 Rev.1.3,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 10A05GC1 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 31.08.2018

Размер: 468.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)