1N4007-D1-0000

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 6 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO204AL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 1N4007G (TSC)
 
DO204AL 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-41
A- 1N4007G-K (TSC)
 
DO204AL 5000 шт
 
A- 1N4007GS (YJ)
 
DO204AL
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N4001 THRU 1N4007 COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 IF(AV) A IFSM A Maximum DC blocking Voltage Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =85℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 1.0 30 60 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃,Rating of per diode Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C I2t A2s 3.735 Cj pF 6 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A 1.0 Tj =25℃ 2.5 IR μA Tj =125℃ 50 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode 1N4006 1N4007 1/4 S-A1082 Rev.1.1,30-Jan-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N4007-D1-0000 

Microsoft Word - 1N4001 THRU 1N4007

Дата модификации: 01.02.2021

Размер: 207.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.