1N5393GS

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1.5 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 13 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- HER203 (YJ)
 
DO41 в ленте 500 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- HER203 (DC)
 
DO41 в коробках 1500 шт Выпрямительный диод - [DO-15]

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N5391GS THRU 1N5399GS COMPLIANT General Purpose Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High reliability ● High surge current capability ● Low power loss ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N5391G S 1N5392G S 1N5393G S 1N5395G S 1N5397G S 1N5398G S 1N5399G S 1N5391G S 1N5392G S 1N5393G S 1N5395G S 1N5397G S 1N5398G S 1N5399G S 50 100 200 400 600 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =75℃ IF(AV) A 1.5 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Tstg ℃ -55 ~+150 Tj ℃ -55~+150 Storage Temperature Junction Temperature ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS 1N5391G 1N5392G 1N5393G 1N5395G 1N5397G 1N5398G 1N5399G S S S S S S S Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =1.5A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 15 PARAMETER Typical junction capacitance μA IRRM2 Cj pF ■Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 1N5391GS 1N5392GS 1N5393GS 1N5395GS 1N5397GS 1N5398GS 1N5399GS 55 1/4 S-A493 Rev.2.1, 02-Feb-16 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N5391GS 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 31.08.2018

Размер: 473.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.