E1DQ

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 21 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S120 (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- E1D (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- US1DL (JSCJ)
 
SOD123FL 1 шт
 
 — — — —
A- S220 (YJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- H1D (YJ)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS E1AQ THRU E1JQ COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● Super fast switching for high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in super fast switching rectification of power supply, inverters, converters, and freewheeling diodes for automotive and telecommunication. Mechanical Date ● Package: SOD-123FL Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code E1AQ E1BQ E1DQ E1FQ E1GQ E1JQ E1A E1B E1D E1F E1G E1J 50 100 200 300 400 600 VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~ +150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, IRR=0.25A Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,f=1MHz IRRM μA PARAMETER Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode E1AQ E1BQ E1DQ E1FQ 1.0 E1GQ 1.3 E1JQ 1.7 35 21 13 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 1/5 S-S3317 Rev.1.2,20-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на E1AQ 

Microsoft Word - E1AQ THRU E1JQ

Дата модификации: 20.09.2022

Размер: 227 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)