ES2DQ

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 30 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS220Q (YJ)
 
DO-214AA Surface Mount Schottky Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES2AQ THRU ES2JQ COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT ES2AQ Device marking code ES2BQ ES2CQ ES2DQ ES2FQ ES2GQ ES2HQ ES2JQ ES2A ES2B ES2C ES2D ES2F ES2G ES2H ES2J 50 100 150 200 300 400 500 600 ES2GQ ES2HQ ES2JQ VRRM V IO A 2.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature TJ ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS ES2AQ ES2BQ ES2CQ ES2DQ 0.95 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,f=1MHz Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM IRRM μA ES2FQ 1.3 1.7 25 20 35 30 Ta =25℃ 5.0 Ta =125℃ 100 1/5 S-S3198 Rev.1.3,13-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES2AQ 

Microsoft Word - ES2AQ THRU ES2JQ

Дата модификации: 13.09.2022

Размер: 248.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.