ES3DB

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 60 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS320B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 —
A- SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- US3D SMBG (JSCJ)
 
DO214AA
 
 — — — — —
A- PU3DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — —
A- PU6DBH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — —
A- SK320B (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- SS320BQ (YJ)
 
DO214AA
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
ES3AB THRU ES3JB 超快恢复整流二极管 Super Fast Recovery Rectifier Diode ■特征 ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark Features ● Io 3.0A ● VRRM 50V-600V ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge current capability ● 封装：模压塑料 Cases: Molded plastic ■用途 DO-214AA(SMB) .0 85(2.15) .0 73(1.85) .155 (3.9 4) .130 (3.3 0) M ounting P ad Layout 0.069 (1.76) .1 87(4.75) .1 67(4.25) 0.1 07 (2 .72) .1 03(2.61) .0 78(1.99) 0 .08 1(2 .072) .0 08(0.20) .0 04(0.10) .056 (1.4 1) .035 (0.9 0) Applications .220 (5.5 9) .205 (5.2 1) ●整流用 Rectifier 0 .228 (5.8 0) .0 12(0.31) .0 06(0.15) D im ensions in inches and (m illim eters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 参数名称 符号 单位 测试条件 Item Symbol Unit Test Conditions VRRM V 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 正向平均电流 Average Forward Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature ES3 AB BB CB 50 100 DB FB GB 150 200 正 弦 半 波 60Hz ， 电 阻 负 载 ， TL=100℃ 60HZ Half-sine wave, Resistance load, TL=100℃ 正弦半波60Hz， 一个周期， Ta=25℃ 60Hz Half-sine wave ,1 cycle , Ta =25℃ 300 IF(AV) A IFSM A TJ ℃ -55~+150 TSTG ℃ -55 ~ +150 400 HB JB 500 600 3.0 100 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) 符号 Symbol 单位 Unit 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 最大反向恢复时间 Maximum reverse recovery time VF V IF =3.0A trr ns IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A 35 反向漏电流 Peak Reverse Current IRRM1 Ta =25℃ 10 Ta =100℃ 500 热阻(典型) Thermal Resistance(Typical) IRRM2 μA RθJ-A ℃/W RθJ-L 测试条件 Test Condition ES3 参数名称 Item VRM=VRRM AB BB CB 结和环境之间 Between junction and ambient 结和终端之间 Between junction and terminal DB FB GB 0.95 1.3 HB JB 1.7 471) 121) 备注：Notes: 1) 热阻从结到环境及从结到引线，在电路板的0.2" x 0.2" (5.0毫米 x 5.0毫米)铜垫片区 Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areas Document Number 0174 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES3AB 

Microsoft Word - ES3AB-ES3JB.doc

Дата модификации: 07.11.2011

Размер: 142.5 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)