ES3DQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 3 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 60 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES3AQ THRU ES3JQ COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Super fast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES3AQ ES3BQ ES3CQ ES3DQ ES3FQ ES3GQ ES3A ES3B ES3C ES3D ES3F ES3G ES3H ES3J 50 100 150 200 300 400 500 600 VRRM V IO A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 100 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature TJ ℃ -55 ~ +150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (Fig.1) ES3HQ ES3JQ ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS ES3AQ ES3BQ ES3CQ ES3DQ ES3FQ ES3GQ ES3HQ ES3JQ Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM Ta=25℃ 5 IR μA Ta=125℃ 100 Typical junction capacitance CJ VR=4V, f=1 MHz 60 pF 0.95 1.3 1.7 1/4 S-S3520 Rev.1.1,13-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES3BQ 

Microsoft Word - ES3AQ THRU ES3JQ

Дата модификации: 13.09.2022

Размер: 245.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)