ES3GBQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.3 В, ёмкостью перехода 60 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- GS3GBQ (YJ)
 
DO-214AA — Surface Mount General Purpose Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES3ABQ THRU ES3JBQ COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES3ABQ ES3BBQ ES3CBQ ES3DBQ ES3FBQ ES3GBQ ES3HBQ ES3JBQ ES3AB ES3BB ES3CB ES3DB ES3FB ES3GB ES3HB ES3JB 50 100 150 200 300 400 500 600 VRRM V IO A 3.0 IFSM A 100 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~ +150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle Ta=25℃ ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT TEST ES3ABQ ES3BBQ ES3CBQ ES3DBQ ES3FBQ ES3GBQ ES3HBQ ES3JBQ CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Typical junction capacitance CJ pF VR=4V, f=1 MHz 60 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM Ta =25℃ 5 IRRM μA Ta =125℃ 100 0.95 1.3 1.7 1/5 S-S3519 Rev.1.3,13-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES3ABQ 

Microsoft Word - ES3ABQ THRU ES3JBQ

Дата модификации: 13.09.2022

Размер: 251.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)