ES5D

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 5 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 75 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SS520 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS820 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- HS5D (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS1020 (YJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES5A THRU ES5J COMPLIANT Super Fast Recovery Rectifier Diode Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Solder dip 260°C max. 10 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES5A ES5B ES5C ES5D ES5F ES5G ES5H ES5J ES5A ES5B ES5C ES5D ES5F ES5G ES5H ES5J 50 100 150 200 300 400 500 600 ES5H ES5J VRRM V IO A 5.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 150 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS ES5A ES5B ES5C ES5D ES5F Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=5.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Ta=25℃ 10 IR μA Ta=100℃ 500 Typical junction capacitance Cj pF 0.95 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 80 ES5G 1.3 1.7 40 1/4 S-S031 Rev. 2.4, 06-Mar-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES5A 

Microsoft Word - ES5A THRU ES5J

Дата модификации: 06.03.2019

Размер: 264.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)