G1AQ

SUNCO
Диод выпрямительный Single на напряжение до 50 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S26Q (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 —
A- SL16 (YJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS G1AQ THRU G1MQ COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Date ● Package: SOD-123FL Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT G1AQ G1BQ G1DQ G1GQ G1JQ G1KQ G1MQ G1A G1B G1D G1G G1J G1K G1M Device marking code Repetitive peak reverse voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 IO A 1.0 IFSM A 30 It 2 As 2 3.7 Storage temperature TSTG ℃ -55 ~+150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~+150 G1JQ G1KQ Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz half-sine wave,1 cycle, TJ=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃ ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A 1.1 Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,1 MHz 10 Ta=25℃ 5 IRRM μA Ta=125℃ 100 PARAMETER Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode G1AQ G1BQ G1DQ G1GQ G1MQ 1/5 S-S2217 Rev.1.6,07-Apr-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на G1AQ 

Microsoft Word - G1AQ THRU G1MQ

Дата модификации: 07.04.2021

Размер: 252.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)