G1M

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 7 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123FL
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- 1N4007[A7] (YOUTAI)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт — — —
A- GS1010FL (JIEJIE)
 
SOD123FL 3000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS G1A THRU G1M COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● Switching for general purpose ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in general purpose switching rectification of power supply, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Date ● Package: SOD-123FL Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code Repetitive peak reverse voltage G1A G1B G1D G1G G1J G1K G1M G1A G1B G1D G1G G1J G1K G1M 50 100 200 400 600 800 1000 G1K G1M VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~+150 Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS VF V IFM=1.0A 1.1 Ta=25℃ 5 IRRM μA Ta=125℃ 100 G1A G1B G1D G1G G1J 1/4 S-S036 Rev. 2.5, 10-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на G1A 

Microsoft Word - G1A THRU G1M

Дата модификации: 12.12.2019

Размер: 233.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)