GR3KBF

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.3 В, ёмкостью перехода 30 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO221AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- GR3MBF (YJ)
 
DO221AA
 
 — — —
A- GS3KBF (YJ)
 
DO221AA
 
 — — — —
A- GS3MBF (YJ)
 
DO221AA
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GR3ABF THRU GR3MBF COMPLIANT Surface Mount Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: SMBF Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT GR3ABF GR3BBF GR3DBF GR3GBF GR3JBF GR3KBF GR3MBF GR3ABF GR3BBF GR3DBF GR3GBF Device marking code GR3JBF GR3KBF GR3MBF Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 VDC V 50 100 200 400 600 800 1000 IO A IFSM A Maximum DC blocking Voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ 3.0 100 Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 200 Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode It 2 As 2 41.5 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 1/5 S-S4108 Rev.1.1,29-Nov-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GR3ABF 

Microsoft Word - GR3ABF THRU GR3MBF

Дата модификации: 04.12.2023

Размер: 217.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)