GS1J

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 8 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- GS2KA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — —
A- GS1K (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- M5 (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon
A- GS2JA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — —
A- M6 (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon
A- S2K SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS1A THRU GS1M COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M GS1A GS1B GS1D GS1G GS1J GS1K GS1M 50 100 200 400 600 800 1000 GS1J GS1K GS1M VRRM V IO A 1.0 IFSM A 30 I2t A2S 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS VF V IFM=1.0A 1.1 Ta=25℃ 5 IRRM μA Ta=125℃ 100 GS1A GS1B GS1D GS1G 1/5 S-S048 Rev. 2.4, 02-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS1A 

Microsoft Word - GS1A THRU GS1M

Дата модификации: 02.12.2019

Размер: 234.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)