GS1JB

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 8 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S2J (TSC)
 

S2J (ONS-FAIR) 		DO214AA 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S2JH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — —
A- GS1KB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- GS2J (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS1AB THRU GS1MB COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS1AB GS1BB GS1DB GS1GB GS1JB GS1KB GS1MB GS1AB GS1BB GS1DB GS1GB GS1JB GS1KB GS1MB 50 100 200 400 600 800 1000 GS1JB GS1KB VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A 1.15 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM Ta =25℃ 5.0 IRRM μA Ta =125℃ 100 PARAMETER GS1AB GS1BB GS1DB GS1GB GS1MB 1/4 S-S934 Rev.1.4,10-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS1AB 

Microsoft Word - GS1AB THRU GS1MB

Дата модификации: 14.12.2019

Размер: 208.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)