GS2G

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.15 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S2G SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — —
A- MURS240 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
A- ES3G SMBG (JSCJ)
 
DO214AA
 
 — — — —
A- TSD2G (TSC)
 
DO214AA 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S2G (TSC)
 

S2G (ONS-FAIR) 		DO214AA 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S2GH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
 — — —
A- S2GHM4G (TSC)
 
DO214AA — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- S3GB (TSC)
 

S3GB (ONS-FAIR) 		DO214AA 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS2A THRU GS2M COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code GS2A GS2B GS2D GS2G GS2J GS2K GS2M GS2A GS2B GS2D GS2G GS2J GS2K GS2M 50 100 200 400 600 800 1000 GS2J GS2K GS2M VRRM V IO A 2.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A 1.15 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM Ta =25℃ 5.0 IRRM μA Ta =125℃ 100 PARAMETER GS2A GS2B GS2D GS2G 1/4 S-S348 Rev. 2.5, 10-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS2A 

Microsoft Word - GS2A THRU GS2M

Дата модификации: 16.12.2019

Размер: 239.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)