GS2GAQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.15 В, ёмкостью перехода 18 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount General Purpose Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS2AAQ THRU GS2MAQ COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT GS2AAQ GS2BAQ GS2DAQ GS2GAQ GS2JAQ GS2KAQ GS2MAQ Device marking code GS2AA GS2BA GS2DA GS2GA GS2JA GS2KA GS2MA Repetitive peak reverse voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 IO A 2 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature TJ ℃ -55 ~ +150 Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (Fig.1) ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) TEST GS2AAQ GS2BAQ GS2DAQ GS2GAQ GS2JAQ GS2KAQ GS2MAQ CONDITIONS SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A 1.15 Typical junction capacitance CJ pF VR=4V,1 MHz 18 Ta=25℃ 5 IRRM μA Ta=125℃ 100 PARAMETER Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM 1/4 S-S2725 Rev.1.3,14-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS2AAQ 

Microsoft Word - GS2AAQ THRU GS2MAQ

Дата модификации: 14.09.2022

Размер: 232 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)