GS3JQ

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 3 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 25 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Surface Mount General Purpose Rectifier
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- GS3KQ (YJ)
 
DO-214AB — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- GS5JQ (YJ)
 
DO-214AB — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- GS5KQ (YJ)
 
DO-214AB — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- S3JC (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS GS3AQ THRU GS3MQ COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C ● Part no. with suffix “Q” means AEC-Q101 qualified Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT GS3AQ GS3BQ GS3DQ GS3GQ GS3JQ GS3KQ GS3MQ GS3A GS3B GS3D GS3G GS3J GS3K GS3M Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 200 400 600 800 1000 Maximum RMS voltage VRMS V 35 70 140 280 420 560 700 IO A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 100 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature TJ ℃ -55 ~+150 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL(Fig.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS GS3AQ GS3BQ GS3DQ GS3GQ GS3JQ GS3KQ GS3MQ Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A 1.1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Ta=25℃ 5 IR μA Ta=100℃ 50 Typical junction capacitance Cj Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 25 PARAMETER pF 1/4 S-S2628 Rev.1.3,14-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на GS3AQ 

Microsoft Word - GS3AQ THRU GS3MQ

Дата модификации: 14.09.2022

Размер: 242.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)