H2MF

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO221AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- F2MF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 —
A- F3MF (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 —
A- US2MF (JSCJ)
 
DO221AC
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS H2AF THRU H2MF COMPLIANT Surface Mount High Efficient Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: SMAF Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code H2AF H2BF H2DF H2GF H2JF H2KF H2MF H2AF H2BF H2DF H2GF H2JF H2KF H2MF 50 100 200 400 600 800 1000 H2JF H2KF H2MF VRRM V IO A 2.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum reverse recovery time Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS VF V IFM=2.0A trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A IRRM μA H2AF H2BF H2DF 1.0 H2GF 1.3 50 1.7 75 Ta =25℃ 5.0 Ta =125℃ 100 1/5 S-S060 Rev. 2.2,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на H2AF 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 22.08.2018

Размер: 428.4 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)