HER103G

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 15 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- HER203 (YJ)
 
DO41 в коробках 500 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- 1N4003G (YJ)
 
DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- MUR120 (YJ)
 
DO41 в ленте 1000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- SF14 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 200 В; Uпрям: 950 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1; tов: 35 нс — — — — — —
A- HER103 (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41] —
A- 1N5393GS (YJ)
 
DO41
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL
A- HER203 (DC)
 
DO41 в коробках 1500 шт Выпрямительный диод - [DO-15] —
A- SR1200 (YJ)
 
DO41
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS HER101G THRU HER108G COMPLIANT High Efficient Rectifier Features ● High efficiency ● High current capability ● High Reliability ● High surge current capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code HER101 G HER102 G HER103 G HER104 G HER105 G HER106 G HER107 G HER108 G HER101 G HER102 G HER103 G HER104 G HER105 G HER106 G HER107 G HER108 G 50 100 200 300 400 600 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta=75℃ IF(AV) A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V IFM =1.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 HER101 HER102 HER103 HER104 HER105 HER106 HER107 HER108 G G G G G G G G 1.0 1.3 Ta=25℃ 2.5 Ta=100℃ 150 1.7 μA IRRM2 Reverse Recovery time trr ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A 50 75 Typical junction capacitance Cj pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 20 10 ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT HER101G HER102G HER103G HER104G HER105G HER106G HER107G HER108G Thermal Resistance(Typical) RθJ-A ℃/W 60 1/4 S-A088 Rev. 2.1, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на HER101G 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 488.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)