HS5K

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 800 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 52 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= US3K SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 6000 шт
 
 — —
P= US5M-C (ANBON)
 
DO214AB
 
 — — — — — — — — — — —
A- HS5MH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — —
A- S5K (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- GS5M (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- S10MCH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S8MC (TSC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- S8KCH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S8MCH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S5MC-K (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
 — — —
A- S8KC (TSC)
 
DO214AB 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
RoHS HS5A THRU HS5M COMPLIANT Surface Mount High Efficient Rectifier Features ● High current capability ● High Reliability ● High forward surge current capability ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Mechanical Data ● Package: DOMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity:Color band denotes cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code HS5A HS5B HS5D HS5F HS5G HS5J HS5K HS5M HS5A HS5B HS5D HS5F HS5G HS5J HS5K HS5M 50 100 200 300 400 600 800 1000 VRRM V IO A 5.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 150 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM =5.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Typical junction capacitance Cj pF HS5A HS5B HS5D 1.0 HS5F HS5G 1.3 50 10 Ta=100℃ 200 85 HS5K HS5M 1.7 75 Ta=25℃ Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. HS5J 60 1/4 S-S068 Rev. 2.3, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на HS5A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 29.08.2018

Размер: 493.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)