M4

Yangjie
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 400 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, ёмкостью перехода 6 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S1G (DC)
 

S1G (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 3000 шт — —
A- S1G-T (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
 — — —
A- S1GH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
 — — —
A- US1G (TSC)
 

US1G (DIODES) 		DO214AC в ленте 7500 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- US1GH (TSC)
 
DO214AC 7500 шт
 
 — —
A- S1G (TSC)
 

S1G (ONS-FAIR) 		DO214AC 7500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS M1 THRU M7 COMPLIANT Surface Mount General Purpose Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in general purpose rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 50 100 200 400 600 800 1000 VRRM V IO A 1.0 IFSM A 30 I2t A2S 3.7 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS VF V IFM=1.0A 1.1 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 IRRM M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 μA 1/4 S-S1682 Rev.1.6,23-Sep-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на M1 

Microsoft Word - M1 THRU M7-SMA

Дата модификации: 23.09.2020

Размер: 208.6 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 февраля 2021
    статья

    Особенности использования NB-IoT-модулей Quectel

    Святослав Зубарев (г. Смоленск) Системы NB–IoT уже сейчас получили широкое распространение по всему миру, а сама технология является одной из наиболее перспективных. Среди ведущих производителей NB–IoT–модулей одно из первых мест... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)