MBR10100CT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 10 А, с падением напряжения 800 мВ, ёмкостью перехода 200 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 5A, 100V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBR20100CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB
A- MBRU20100CTA (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
A- MBRL20100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBR10100CTS (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBR20100CTS (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBRL10100CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
MBR1020CT THRU MBR10100CT 肖特基二极管 Schottky Rectifier ■特征 ■外形尺寸和印记 Features ● Io 10A ● VRRM 20V-100V ● 耐正向浪涌电流能力高 High surge current capability ● 封装:模压塑料 Cases: Molded plastic TO-220AB .412(10.5) MAX .185(4.70) .175(4.44) .154(3.91) .148(3.74) .055(1.40) DIA .045(1.14) .113(2.87) .103(2.62) .594(15.1) .587(14.9) PIN1 2 .16(4.06) .14(3.56) ■用途 Outline Dimensions and Mark 3 .56(14.22) .53(13.46) .037(0.94) .027(0.68) Applications ●整流用 Rectifier .11(2.79) .10(2.54) .025(0.64) .014(0.35) .105(2.67) .095(2.41) PIN1 CASE /PIN2 PIN3 Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值(绝对最大额定值) Limiting Values (Absolute Maximum Rating) 参数名称 符号 单位 测试条件 Item Symbol Unit Test Conditions 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 正向平均电流 Average Forward Current IF(AV) A IFSM A TJ ℃ -55~+150 TSTG ℃ -55 ~ +150 正向(不重复)浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature MBR10-CT 20 30 40 45 50 60 20 30 40 45 50 60 正弦半波60Hz,电阻负载,Tc(Fig.1) 60HZ Half-sine wave, Resistance load, Tc(Fig.1) 正弦半波60Hz, 一个周期, Ta=25℃ 60Hz Half-sine wave ,1 cycle , Ta =25℃ 80 100 80 100 10.0 150 ■电特性 (Ta=25℃ 除非另有规定) Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) 参数名称 Item 符号 Symbol 单位 Unit 正向峰值电压 Peak Forward Voltage VF V 反向漏电流 Peak Reverse Current IRRM1 热阻(典型) Thermal Resistance(Typical) IRRM2 RθJ-C mA ℃/W 测试条件 Test Condition MBR10-CT 20 IF =5.0A VRM=VRRM 30 40 45 50 0.65 0.75 Ta =25℃ 0.1 Ta =125℃ 20 结和壳之间 Between junction and case 60 80 100 0.80 2.01) 备注:Notes: 1) 热电阻从结到本体,每管脚到散热片的尺寸为 2"×3"×0.25 的铝板 Thermal resistance from junction to case per leg with heat-sink size of 2"×3"×0.25" AL-plate Document Number 0197 Rev. 1.0, 22-Sep-11 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR10100CT 

Microsoft Word - MBR1020CT-MBR10100CT.doc

Дата модификации: 09.11.2011

Размер: 129 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.