MBR20100CD

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 20 А, с падением напряжения 830 мВ, ёмкостью перехода 600 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, TO-252
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P+ SBDD20100CT (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
P+ AD-SBDD20100CT (JSCJ)
 
 
P= MBR20100CD (ANBON)
 
 
P= MBRL10100CD (YJ)
 
TO252 в ленте 10000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR20100CD THRU MBR20200CD COMPLIANT Schottky Diodes Pin 2 Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-252 Pin 1 Pin 3 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBR20100CD MBR20150CD MBR20200CD MBR20100CD MBR20150CD MBR20200CD VRRM V IO A 20 IFSM A 130 I2t As 70 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃, 100 2 150 200 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 TEST CONDITIONS MBR20100CD IFM=10.0A 0.83 MBR20150CD MBR20200CD 0.87 0.9 VRM=VRRM Ta=25℃ 0.1 VRM=VRRM Ta=125℃ 20 mA IRRM2 1/4 S-B971 Rev.1.1,3-Aug-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR20100CD 

Microsoft Word - MBR20100CD THRU MBR20200CD-双胞胎108mil.doc

Дата модификации: 22.08.2018

Размер: 160.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.