MBR2060CTS

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 60 В, ток до 20 А, с падением напряжения 750 мВ, ёмкостью перехода 400 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBR2060CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 10A, 60V V(RRM)
A- MBR3060CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
A- MBRL2060CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
A- MBRL3060CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR2060CTS COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL MBR2060CTS UNIT MBR2060CTS Device marking code VRRM V 60 IO A 20 IFSM A 150 It 2 As 94 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave,1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃, 2 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VFM V TEST CONDITIONS IRRM1 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode mA IRRM2 MBR2060CTS IFM=10.0A 0.75 VRM=VRRM Ta=25℃ 0.2 VRM=VRRM Ta=125℃ 50 ■Thermal Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Thermal Resistance SYMBOL UNIT MBR2060CT RθJ-C ℃/W 2.0 Between junction and case ■Ordering Information (Example) PREFERED P/N UNIT WEIGHT(g) MINIIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE MBR2060CTS Approximate 1.9 50 1000 5000 Tube 1/4 S-B1195 Rev.1.1,11-Apr-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR2060CTS 

Microsoft Word - MBR2060CTS-双胞胎102

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 143.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.