MBR3060CTS

SUNCOYJ
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 60 В, ток до 30 А, с падением напряжения 750 мВ, ёмкостью перехода 600 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBR3060CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 —
A- MBRL3060CT (YJ)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR3060CTS COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL MBR3060CTS UNIT MBR3060CTS Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 60 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Tc=105℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave,1 cycle, Ta=25℃ Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃， IO A 30 IFSM A 200 I2t A2s 166 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS MBR3060CTS IFM=15.0A 0.75 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=100℃ 0.2 50 ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Thermal Resistance Between junction and case SYMBOL UNIT MBR3060CTS RθJ-C ℃/W 2.0 1/4 S-B1479 Rev.1.0,23-Sep-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR3060CTS 

Microsoft Word - MBR3060CTS

Дата модификации: 24.09.2019

Размер: 218.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)