MBR40100CT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 40 А, с падением напряжения 850 мВ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBR40100CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● Low forward voltage drop ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-220AB Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Tj=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT MBR40100CT MBR40100CT Device marking code Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Tc=95℃ Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Tj=25℃ VRRM V 100 IO A 40 IFSM A 300 2 Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ It 2 As 373 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 ■Electrical Characteristics(Tj=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL Maximum instantaneous forward voltage drop per diode (1) VFM TEST CONDITIONS UNIT V (2) Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM1 mA (2) IRRM2 MBR40100CT IFM=20.0A 0.85 VRM=VRRM Tj=25℃ 0.1 VRM=VRRM Tj=125℃ 20 Notes: (1)Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle (2)Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms ■Thermal Characteristics (Tj=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Thermal Resistance Between junction and case SYMBOL UNIT MBR40100CT RθJ-C ℃/W 2.0 1/4 S-B1637 Rev.1.1,11-May-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBR40100CT 

Microsoft Word - MBR40100CT

Дата модификации: 11.05.2021

Размер: 143 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.