MBRB30200CT

SUNCOYJ
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 30 А, с падением напряжения 900 мВ, ёмкостью перехода 600 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBRBL30200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —
A- MBRB30200CTS (YJ)
 
TO263 800 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBRB30100CT THRU MBRB30200CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-263 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MBRB30100CT MBRB30150CT MBRB30200CT MBRB30100CT MBRB30150CT MBRB30200CT VRRM V Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ IO A 30 Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 250 I2t As 262 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +175 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +175 Repetitive Peak Reverse Voltage Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃， 100 150 2 200 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS MBRB30100CT IFM=15.0A 0.8 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=125℃ MBRB30150CT MBRB30200CT 0.85 0.9 0.1 20 1/4 S-B1157 Rev.1.0,14-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBRB30100CT 

Microsoft Word - MBRB30100CT THRU MBRB30200CT-双晶105.doc

Дата модификации: 17.01.2022

Размер: 158.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)