MBRBL20100CT

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 100 В, ток до 20 А, с падением напряжения 720 мВ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBRBL30100CT (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A- MBRBU20100CTA (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A- MBRBU30100CTA (YJ)
 
TO263 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBRBL20100CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● Low forward voltage drop ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260℃ Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-263 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER MBRBL20100CT SYMBOL UNIT MBRBL20100CT Device marking code VRRM V 100 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃ IO A 20 Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 150 I2t As 94 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Repetitive Peak Reverse Voltage Current Squared Time @1ms≤t<8.3ms Tj=25℃ 2 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS MBRBL20100CT IFM=10.0A 0.72 VRM=VRRM Ta=25℃ VRM=VRRM Ta=100℃ 0.1 20 1/4 S-B1043 Rev.1.0,22-Oct-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBRBL20100CT 

Microsoft Word - MBRBL20100CT.doc

Дата модификации: 22.10.2018

Размер: 156.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.