Вход / Регистрация

MBRBL20200CT

SUNCO
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 20 А, с падением напряжения 880 мВ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MBRB20200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 2000 шт
 
 —
A- MBRBL30200CT (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MBRBL20200CT COMPLIANT Schottky Diodes Features ● High frequency operation ● High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance ● Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260℃ Typical Applications Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection. Mechanical Data ● Package: TO-263 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT MBRBL20200CT MBRBL20200CT Device marking code VRRM V 200 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, R-load, Ta（FIG 1） IO A 20 Surge(Non-repetitive)Forward Current @60Hz half sine-wave, 1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 160 Repetitive Peak Reverse Voltage Current Squared Time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃，rating of per diode It 2 As 106 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 2 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode SYMBOL UNIT VFM V IRRM1 mA IRRM2 TEST CONDITIONS MBRBL20200CT IFM=10.0A 0.88 VRM=VRRM Ta=25℃ 0.1 VRM=VRRM Ta=100℃ 20 ■Thermal Characteristics （Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Thermal Resistance Between junction and case SYMBOL UNIT MBRBL20200CT RθJ-C ℃/W 2.0 1/4 S-B1295 Rev.1.1,15-May-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MBRBL20200CT 

Microsoft Word - MBRBL20200CT

Дата модификации: 15.05.2019

Размер: 152.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)