MUR460

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 4 А, с падением напряжения 1.28 В, ёмкостью перехода 51 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MUR460 (ANBON)
 
DO201AD
 
 — — — — — — — — — — —
P= LUR460 (LRC)
 
DO201AD
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4A, 600V V(RRM)
A- FR505G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —
A- FR506G (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MUR420 THRU MUR4100 COMPLIANT Super Fast Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MUR420 MUR440 MUR460 MUR480 MUR4100 MUR420 MUR440 MUR460 MUR480 MUR4100 200 400 600 800 1000 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =50℃ IF(AV) A 4.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 125 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55~+150 ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MUR420 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM =4.0A 0.89 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA Reverse Recovery time trr ns IF=0.5A IR=1A IRR=0.25A Typical junction capacitance Cj pF Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. PARAMETER MUR440 MUR460 1.28 Ta=25℃ 5 Ta=100℃ 150 25 50 MUR480 MUR4100 1.85 75 70 1/4 S-A114 Rev.2.2, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MUR4100 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 468.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)