MURS160B

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 14 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 41

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MURS160 (YJ)
 

MURS160 (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= EFMB208 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= ES2J (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon
P= MURS260 (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
P= UG2J (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
P= MURS160 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= ES2J SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
P= SF28G (LRC)
 
DO15
 
P= HFMB206 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= ES2J-B (ANBON)
 
DO214AA
 
P= MURS160-B (ANBON)
 
DO214AA
 
P= ES2JBG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= US2JBG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= MURS260 (HOTTECH)
 
 
P= MURS160 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= MUR160S (TSC)
 
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= EFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= ES1J-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= ES1JG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US1J (TSC)
 
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1J (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= MURS140 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 6000 шт
 
P= EFMB206 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= HFM106 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= MURS260-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= US1JG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= US1JR3G (TSC)
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= MURS260-B (ANBON)
 
DO214AA
 
P= MURS160-A (ANBON)
 
DO214AC
 
A- GS1JB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- GS1KB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- GS2J (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- HS2J (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM)
A- GR1JB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- GR1KB (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- GR2J (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM)
A- GR2K (YJ)
 
DO214AA 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM)
A- RS2K (TSC)
 
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AA
A- RS2J (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- S2JH (TSC)
 
DO214AA 3000 шт
 
A- S2J (TSC)
 

S2J (ONS-FAIR)
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MURS120B THRU MURS160B COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code MURS120B MURS140B MURS160B MURS120B MURS140B MURS160B 200 400 600 VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55~+150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode Maximum reverse recovery time Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MURS120B VF V IFM=1.0A 0.92 1.25 trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 25 50 IRRM μA MURS140B Ta =25℃ 5.0 Ta =125℃ 50 MURS160B 1/5 S-S1055 Rev1.4,10-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MURS120B 

Microsoft Word - MURS120B THRU MURS160B

Дата модификации: 16.12.2019

Размер: 213.8 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.