MURS560

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 5 А, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 65 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S5K (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
A- S8JCH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 
A- S8KC (TSC)
 
DO214AB 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- S8KCH (TSC)
 
DO214AB 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS MURS560 COMPLIANT Surface Mount Ultrafast Rectifier Diode Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Solder dip 260 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AB (SMC) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT MURS560 MURS560 Device marking code Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 420 Maximum DC blocking Voltage VDC V 600 5.0 Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃ IO A IFSM A I2t A2s 60 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 120 240 ■Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS MURS560 Maximum instantaneous forward voltage VF V IFM=5.0A 1.25 Maximum reverse recovery time trr ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 50 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Tj =25℃ 5 IR μA Tj =125℃ 50 Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 65 PARAMETER Typical junction capacitance Cj pF 1/5 S-S2495 Rev.1.6,20-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на MURS560 

Microsoft Word - MURS560

Дата модификации: 26.09.2023

Размер: 177.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.