S24F

SUNCOYJ
Диод выпрямительный Single на напряжение до 40 В, ток до 2 А, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 130 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO221AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- S34F (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 —
A- SL245F (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 —
A- SL24F (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 —
A- SL345F (YJ)
 
DO221AC 3000 шт
 
 —
A- SL34F (YJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS S22F THRU S220F COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, Freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection Applications. Mechanical Data ● Package: SMAF Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code S22F S23F S24F S25F S26F S28F S210F S215F S220F S22F S23F S24F S25F S26F S28F S210F S215F S220F 20 30 40 50 60 80 VRRM V IO A 2.0 Surge(non-repetitive)forward current @60HZ Half-sine wave, 1 cycle, Tj=25℃ IFSM A 50 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55~+125 100 150 200 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=2.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM IR mA PARAMETER S22F S23F S24F 0.50 S25F S26F 0.70 S28F S210F S215F S220F 0.85 0.90 Ta=25℃ 0.50 0.10 Ta=100℃ 10 5 1/4 S-S086 Rev. 2.2, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на S210F 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 22.08.2018

Размер: 439.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)