SF68G

Диод выпрямительный Single на напряжение до 600 В, ток до 6 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 46 пФ, производства Yangjie (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус R6
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- P6A8G (YJ)
 
R6 500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SF61G THRU SF68G COMPLIANT Super Fast Recovery Rectifier Features ● Ultrafast reverse recovery time ● Low leakage current ● Low switching losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Glass passivated chip junction ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer and telecommunication. Mechanical Data ● Package: R-6 Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SF61G SF62G SF63G SF64G SF65G SF66G SF67G SF68G SF61G SF62G SF63G SF64G SF65G SF66G SF67G SF68G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 IF(AV) A IFSM A Maximum DC blocking Voltage Average Forward Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta =65℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ 6.0 150 300 Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃,Rating of per diode Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C I2t A2s Cj pF Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~ +150 94 102 58 46 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) UNIT TEST CONDITIONS SF61G SF62G SF63G SF64G SF65G SF66G SF67G SF68G PARAMETER SYMBOL Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IR μA Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode Maximum reverse recovery time trr ns IFM=6.0A 0.95 1.3 Tj =25℃ 2.5 Tj =125℃ 100 IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 1.7 1/4 S-A164 Rev.2.2, 30-Jan-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SF62G 

Microsoft Word - SF61G THRU SF68G

Дата модификации: 07.02.2022

Размер: 218.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.