SR1200

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 850 мВ, ёмкостью перехода 25 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- MUR120 (YJ)
 
DO41 в ленте 1000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SR120 THRU SR1200 COMPLIANT Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power loss ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SR120 SR140 SR160 SR1100 SR1150 SR1200 SR120 SR140 SR160 SR1100 SR1150 SR1200 20 40 60 100 150 200 VRRM V IO A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55 ~+125 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj pF TEST CONDITIONS SR120 IFM=1.0A SR140 0.55 SR160 SR1100 0.7 SR1150 SR1200 0.85 Ta=25℃ 0.2 0.1 Ta=100℃ 20 5 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 50 40 25 1/4 S-A169 Rev.2.1,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SR1100C1 

Microsoft Word - SR120 THRU SR1200.doc

Дата модификации: 13.09.2018

Размер: 257 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)