SR340L

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 440 мВ, ёмкостью перехода 220 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SR540L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SR340L THRU SR3100L COMPLIANT Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ●Low forward voltage drop,Low power losses ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SR340L SR360L SR3100L SR340L SR360L SR3100L 40 60 100 VRRM V IO A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 55 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55 ~+125 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS SR340L SR360L SR3100L Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A 0.44 0.5 0.74 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance(1) Cj PARAMETER Ta=25℃ 0.2 Ta=100℃ 50 pF 220 420 130 Note (1) Typical junction capacitance measured at 1MHZ and applied reverse voltage of 4.0 V.D.C. 1/4 S-A981 Rev.1.0,29-Aug-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SR3100LC1 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.08.2018

Размер: 464.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)