SR5100L

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 5 А, с падением напряжения 700 мВ, ёмкостью перехода 190 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- SR10100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —
A- SR8100L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SR540L THRU SR5100L COMPLIANT Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ●Low forward voltage drop,Low power losses ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SR540L SR560L SR5100L SR540L SR560L SR5100L 40 60 100 VRRM V IO A 5.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 80 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55 ~+125 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS SR540L SR560L SR5100L Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=5.0A 0.48 0.49 0.7 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj PARAMETER Ta=25℃ 0.2 Ta=100℃ pF 0.1 50 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 330 420 190 Note (1) Typical junction capacitance measured at 1MHZ and applied reverse voltage of 4.0 V.D.C. 1/4 S-A982 Rev.1.0,29-Aug-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SR5100L 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 31.08.2018

Размер: 472.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)